数字经济时代,芯片扮演着重要角色。得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等,我国的半导体产业正在蓬勃发展,并不断拉近与先进地区、企业的差距。
日前,韩国研究机构OERI在报告中称,估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年。
具体来说,三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级(1b或者说12nm)内存芯片,国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm(1y或者说16/17nm)。
一般而言,DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。
按照正常节奏,国产内存芯片完全有机会进一步缩短差距,可目前有一个比较棘手的问题在于,三星和SK海力士已经为生产更先进的DRAM芯片引入了EUV(极紫外光刻)设备,而这对我们来说,暂时还没法获取。
本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容,请发送邮件至 203304862@qq.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。本文链接:https://xz1898.com/n/6106.html